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InGaAs雪崩光电二极管
InGaAs APD可大大降低暗电流

该款InGaAs APD(雪崩光电二极管)通过使用新的器件结构和加工处理流程,和现有产品相比,大幅度降低了暗电流。 G14858-0020AA可以用于距离测量,微弱光检测等。

品牌:Hamamatsu 

型号:G14858-0020AA

产品特点
· 低暗电流
· 低电容
· 高灵敏度
典型应用
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产品介绍
InGaAs APD可大大降低暗电流

该款InGaAs APD(雪崩光电二极管)通过使用新的器件结构和加工处理流程,和现有产品相比,大幅度降低了暗电流。 G14858-0020AA可以用于距离测量,微弱光检测等。


产品型号及主要指标
Model G14858-0020AA
象元数 1
感光面积 φ0.2 mm
封装 Metal
封装类型 TO-18
光谱响应范围 950 to 1700 nm
峰值波长(典型值) 1550 nm
灵敏度(典型值) 0.8 A/W
暗电流(最大值) 50 nA
截止频率(典型值) 900 MHz
结电容(典型值) 2 pF
击穿电压(典型值) 65 V
击穿电压温度系数(典型值) 0.1 V/℃
测试条件 Ta=25℃, Photosensitivity: λ=1.55 μm, M=1


光谱响应

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外形尺寸(单位:mm)

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