光电二极管芯片COC （ Chip on Carrier）

通过与客户的密切合作，Albis开发了复杂的装配解决方案，可满足对准精度、带宽和布局复杂性方面的严格要求。Albis雪崩和pin光电二极管产品组合现在可以作为倒装芯片安装或引线键合器件在定制的2D或3D（环绕式）载体上提供。

PIN光电二极管芯片COC （ Chip on Carrier）

集成透镜的112 Gbaud光电二极管芯片|PS60X1

PS60X1是一个112 Gbaud光电二极管芯片倒装芯片的组件，该芯片焊接到具有共面接触布局的金属化陶瓷载体上。

带有集成背面透镜的底部照明InGaAs p-i-n光电二极管结构针对112 Gbd PAM-4（400GbE和800GbE）单模电信、微波光子链路、光纤射频以及测试和测量应用进行了优化。 它在1260至1620 nm的波长范围内提供出色的响应度和高速响应。

集成的背面透镜将入射光束聚焦在顶部检测区域，从而实现简单高效的光耦合。

集成镜头的56 Gbaud光电二极管 |  PS40X1

PS40X1是一个56 Gbaud光电二极管芯片倒装芯片的组件，该芯片焊接到具有共面接触布局的金属化陶瓷载体上。

带有集成背面透镜的底部照明InGaAs p-i-n光电二极管结构针对56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）单模电信、微波光子链路、光纤射频以及测试和测量应用进行了优化。 它在1260至1620 nm的波长范围内提供出色的响应度和高速响应。

集成的背面透镜将入射光束聚焦在顶部检测区域，从而实现简单高效的光耦合。

集成透镜的400G光电二极管阵列 |  PS40X4

多个56 Gbaud光电二极管芯片（多通道56 Gbaud光电二极管芯片）倒装焊接到金属化陶瓷载体上的组装，具有共面G-S-G接触布局和750 µm的通道间距。 所有光电二极管都以高精度定位。

底部照明InGaAs引脚光电二极管结构与集成背侧透镜针对高达56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）单模电信、微波光子链路、光纤射频以及测试和测量应用进行了优化.它在1260至1620 nm的波长范围内提供出色的响应度和高速响应。

集成的背面透镜将入射光束聚焦在顶部检测区域，从而实现简单高效的光耦合。

集成透镜的28 Gb/s光电二极管芯片|  PS20X1

PS20X1是一个28 Gb/s光电二极管芯片倒装芯片的组件，该芯片焊接到具有共面接触布局的金属化陶瓷载体上。

带有集成背面透镜的底部照明InGaAs p-i-n光电二极管结构针对高达28 Gb/s的数据和电信应用进行了优化，并在1260至1620 nm的波长范围内提供了出色的响应度和高速响应。 光电二极管具有低电容并在低偏置电压下实现全速。

集成的背面透镜将入射光束聚焦在顶部检测区域，从而实现简单高效的光耦合。

集成透镜28 Gb/s光电二极管阵列 |  PS20Xn

PS20Xn是多个PD20X1光电二极管芯片的组件，倒装芯片焊接到具有共面接触布局的金属化陶瓷载体上。 所有光电二极管都相对于对准特征进行了高精度定位，以保证±10 µm的芯片到芯片对准。

PD20X1是一款InGaAs/InP超高速光电二极管芯片，带有集成背面透镜。 底部照明p-i-n光电二极管结构针对高达28 Gb/s的数据和电信应用进行了优化，并在1260至1620 nm的波长范围内提供出色的响应度和高速响应。 光电二极管具有低电容并在低偏置电压下实现全速。

集成的背面透镜将入射光束聚焦在顶部检测区域，从而实现简单高效的光耦合。

8 Gb/s光电二极管芯片|  PS05F1

PS05F1是安装在陶瓷载体上的单个环绕式托架上 PD10F1光电二极管芯片的组件，带有用于阳极和阴极连接的环绕式金属焊盘。

PD10F1是一款InGaAs/InP高速光电二极管芯片，具有双焊盘布局和大光学孔径。 顶部照明光电二极管针对高达12 Gb/s的单模数据和电信应用进行了优化，并在1260至1620 nm的波长范围内提供出色的响应度和高速响应。 在整个波长范围内，增透膜具有低反射率和高回波损耗。 光电二极管经过优化，可在大有源面积和低电容之间实现最佳平衡，并在低偏置电压下实现全速。

4通道倒装芯片焊接监控光电二极管阵列 |PS05J4

四个InGaAs/InP底部照明光电二极管芯片的单片阵列，具有以标准250 μm间距分隔的大光学孔径。 底部照明p-i-n光电二极管结构针对高达2.5 Gb/s的数据和电信中的低速监控应用进行了优化。 它们在1260至1620 nm的波长范围内提供出色的响应度和高速响应。

底部照明的4通道光电二极管阵列倒装焊接在具有环绕金属化的陶瓷底座上。

8通道倒装焊接平衡光电二极管阵列 |  PS05J8

八个InGaAs/InP底部照明光电二极管的单片阵列，具有120 µm的大光学孔径，间距为300 µm。 底部照明p-i-n光电二极管结构针对高达2.5 Gb/s的数据和电信中的低速监控应用进行了优化。 它们在1260至1620 nm的波长范围内提供出色的响应度和高速响应。

底部照明的8通道光电二极管阵列倒装焊接在具有环绕金属化的陶瓷底座上。 导线设计用于使用四对光电二极管进行平衡检测。

APD光电二极管芯片COC（ Chip on Carrier）

集成透镜28 Gb/s雪崩光电二极管芯片|  APD20D1

APD20D1是底部照明的28 Gb/s雪崩光电二极管(APD)芯片，带有集成背面透镜。 这种创新的APD提供低噪声倍增和高增益带宽产品，可实现高灵敏度28G接收器的设计。 典型应用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。

集成的背面透镜将入射光束聚焦在顶部检测区域，从而实现简单高效的光耦合。

APD倒装焊接在金属化陶瓷载体上，具有共面GSG或Y形接触焊盘布局。 大焊盘允许放置多个键。

集成透镜的25 Gb/s雪崩光电二极管芯片|APD20B1/C1

底部照明的25 Gb/s雪崩光电二极管(APD)芯片，集成背面透镜安装在陶瓷载体上。 这种创新的APD提供低噪声倍增和高增益带宽产品，可实现高灵敏度25G接收器的设计。 典型应用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。

集成的背面透镜将入射光束聚焦在顶部检测区域，从而实现简单高效的光耦合。

APD倒装焊接在金属化陶瓷基板上，具有T形、共面GSG或Y形触点布局。 大焊盘允许放置多个键。